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IS42S86400B IC产品资料

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IS42S86400B IC产品资料
资料编号:
416744
资料标题:
IS42S86400B
品 牌:
ISSI
点击次数:
355
文件大小:
789
资料属性:
....

IS42S86400B 资料标题简介

64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

IS42S86400B 资料关键信息

FEATURES
? Clock frequency: 143, 133 MHz
? Fully synchronous; all signals referenced to a
positive clock edge
? Internal bank for hiding row access/precharge
? Power supply
Vdd Vddq
IS42S16320B 3.3V 3.3V
IS42S86400B 3.3V 3.3V
? LVTTL interface
? Programmable burst length
– (1, 2, 4, 8, full page)
? Programmable burst sequence:
Sequential/Interleave
? Auto Refresh (CBR)
? Self Refresh
? 8K refresh cycles every 64 ms
? Random column address every clock cycle
? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
? Burst read/write and burst read/single write
operations capability
? Burst termination by burst stop and precharge
command
? Available in 54-pin TSOP-II and 54-ball BGA
(x16 only)
? Available in Lead-free
? Available in Industrial Temperature

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型号 厂商 描述 文件大小 下载
IS42S86400B ISSI 64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM 789
IS42S16400-L IS42S8800-L ICSI 1502
IS42S83200D ISSI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 970
IS42S81600B ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 862
IS42S81600D ISSI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 775
IS42S83200B ISSI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 835
IS42S16400/L/IS42S8800/L 1502

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