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GS8160E18BT-200 IC产品资料

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GS8160E18BT-200 IC产品资料
资料编号:
487373
资料标题:
GS8160E18BT-200
品 牌:
GSI
点击次数:
97
文件大小:
752
资料属性:
....

GS8160E18BT-200 资料标题简介

1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs

GS8160E18BT-200 资料关键信息

Features? FT pin for user-configurable flow through or pipeline operation
? Dual Cycle Deselect (DCD) operation? 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply? 2.5 V or 3.3 V I/O supply? LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode? Internal input resistors on mode pins allow floating mode pins? Default to Interleaved Pipeline mode? Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation? Internal self-timed write cycle? Automatic power-down for portable applications? JEDEC-standard 100-lead TQFP package? RoHS-compliant 100-lead TQFP package available

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型号 厂商 封装 描述 资料 采购
GS816018T-133 GSI TQFP100 全新原装

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