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N2DS51216BT-5T IC产品资料

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N2DS51216BT-5T IC产品资料
资料编号:
501558
资料标题:
N2DS51216BT-5T
品 牌:
ELIXIR
点击次数:
117
文件大小:
2653
资料属性:
....

N2DS51216BT-5T 资料标题简介

512Mb DDR SDRAM

N2DS51216BT-5T 资料关键信息

Features
? DDR 512M bit, die B, based on 110nm design rules
? Double data rate architecture: two data transfers per
clock cycle
? Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and
received with data, to be used in capturing data at the
receiver
? DQS is edge-aligned with data for reads and is centeraligned
with data for writes
? Differential clock inputs (CK and CK)
? Four internal banks for concurrent operation
? Data mask (DM) for write data
? DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions
? Commands entered on each positive CK edge; data and
data mask referenced to both edges of DQS
? Burst lengths: 2, 4, or 8
? CAS Latency: 2 / 2.5 (6K & 75B), 2.5 / 3 (5T)
? Auto Precharge option for each burst access
? Auto Refresh and Self Refresh Modes
? 7.8?s Maximum Average Periodic Refresh Interval
? 2.5V (SSTL_2 compatible) I/O
? VDD = VDDQ = 2.5V ± 0.2V (6K & 75B)
? VDD = VDDQ = 2.6V ± 0.1V (5T)

特别说明:如遇压缩包有密码,请在压缩包中注释说明中查找。

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