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M368L6423HUN-LB3 IC产品资料

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M368L6423HUN-LB3 IC产品资料
资料编号:
539489
资料标题:
M368L6423HUN-LB3
品 牌:
SAMSUNG
点击次数:
218
文件大小:
470
资料属性:
....

M368L6423HUN-LB3 资料标题简介

256MB, 512MB Unbuffered DIMM

M368L6423HUN-LB3 资料关键信息

features
· VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR333
· VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400
· Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
· Bidirectional data strobe [DQ] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)
· Differential clock inputs(CK and CK)
· DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
· Programmable Read latency : DDR333(2.5 Clock), DDR400(3 Clock)
· Programmable Burst length (2, 4, 8)
· Programmable Burst type (sequential & interleave)
· Edge aligned data output, center aligned data input
· Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
· Serial presence detect with EEPROM
· PCB : Height 1,250 (mil) & single (128MB, 256MB), double (512GB) sided
· SSTL_2 Interface
· 66pin TSOP II Lead-Free package
· RoHS compliant

特别说明:如遇压缩包有密码,请在压缩包中注释说明中查找。

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型号 厂商 描述 文件大小 下载
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