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M378T6553EZS-CE6 IC产品资料

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M378T6553EZS-CE6 IC产品资料
资料编号:
539724
资料标题:
M378T6553EZS-CE6
品 牌:
SAMSUNG
点击次数:
393
文件大小:
847
资料属性:
....

M378T6553EZS-CE6 资料标题简介

DDR2 Unbuffered DIMM Ordering Information

M378T6553EZS-CE6 资料关键信息

FEATURES
·Performance range
·JEDEC standard VDD = 1.8V ?0.1V Power Supply
·VDDQ = 1.8V ?0.1V
·200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
·4 Banks
·Posted CAS
·Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
·Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4, 5
·Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
·Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential)
·Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
·Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
·Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
·On Die Termination with selectable values(50/75/150 ohms or disable)
·Average Refresh Period 7.8us at lower than a TCASE 85癈, 3.9us at 85癈 < TCASE < 95 癈
- Support High Temperature Self-Refresh rate enable feature
·Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16
·All of Lead-Free products are compliant for RoHS

特别说明:如遇压缩包有密码,请在压缩包中注释说明中查找。

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型号 厂商 描述 文件大小 下载
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