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K4R761869A IC产品资料

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K4R761869A IC产品资料
资料编号:
540132
资料标题:
K4R761869A
品 牌:
SAMSUNG
点击次数:
217
文件大小:
313
资料属性:
....

K4R761869A 资料标题简介

576Mbit RDRAM?(A-die)

K4R761869A 资料关键信息

Features
? Highest sustained bandwidth per DRAM device
- 2.4GB/s sustained data transfer rate
- Separate control and data buses for maximized
efficiency
- Separate row and column control buses for
easy scheduling and highest performance
- 32 banks: four transactions can take place simultaneously
at full bandwidth data rates
? Low latency features
- Write buffer to reduce read latency
- 3 precharge mechanisms for controller flexibility
- Interleaved transactions
? Advanced power management:
- Multiple low power states allows flexibility in power
consumption versus time to transition to active state
- Power-down self-refresh
? Organization: 2kbyte pages and 32 banks, x18
- x18 organization allows ECC configurations or
increased storage/bandwidth
? Uses Rambus Signaling Level (RSL) for up to 1200MHz
operation

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