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NDD04N60Z-1G IC产品库存

NDD04N60Z-1G:沟道功率管1.8,600伏特
库存编号:
871
产品型号:
NDD04N60Z-1G
厂商:
ON
封装:
TO-251
库存数量:
50000
参考价:
0
起订量:
100
点击率:
813
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NDD04N60Z-1G
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0755-82516777

NDD04N60Z-1G 产品描述

沟道功率管1.8,600伏特

NDD04N60Z-1G 产品简介

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.1A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:19nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :535pF @ 25V
功率 - 最大:83W
安装类型:通孔
封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装:管件
供应商设备封装:D-Pak
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型号 厂商 封装 描述 资料 采购
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